STP150N10F7 与 IPP048N12N3 G 区别
| 型号 | STP150N10F7 | IPP048N12N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP150N10F7 | A-IPP048N12N3 G |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.8mΩ |
| 上升时间 | - | 55ns |
| 漏源极电压Vds | - | 120V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 300W |
| Qg-栅极电荷 | - | 137nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 162S,81S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 64ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 19ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 31ns |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V |
￥12.2449
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
|
PSMN4R3-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 338W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
BUK755R4-100E,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 349W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPP048N12N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
120V 100A 4.8mΩ 20V 300W -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
